深圳市金脉科技有限公司

2SD1145G三洋原装现货

材料:硅(Si) 加工定制:否 击穿电压VCEO:25（V） 应用范围:放大 极性:NPN型 封装形式:直插型 型号/规格:2SD1145G 品牌/商标:SANYO/三洋 封装材料:树脂封装 属性:属性值

电源管理 IC -低压差稳压器 - LDO - TI -LP3872ES-3.3

功率:0.05 V at 150 mA, 0.45 V at 1.5A 批号:12+ 电源电流:1.5A 针脚数:5 类型:电源模块 型号/规格:LP3872ES-3.3 品牌/商标:TI ST 用途:仪器 电源电压:3.3V 封装:TO-263

原装进口MMBF5484 优势供应原装进口二三极管

应用范围:功率 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:MMBF5484 封装形式:贴片型 材料:硅(Si)

BSS123原装进口Fairchild MOS管批发价优

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:BSS123 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:GE-N-FET锗N沟道 属性:属性值

SCH1301-TL-E原装SANYO进口现货

批号:08+ 种类:绝缘栅(MOSFET) 是否提供加工定制:否 型号/规格:SCH1301-TL-E 封装外形:SMD(SO)/表面封装 品牌/商标:SANYO/三洋 用途:CHOP/斩波、限幅 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装:SCH-6

IRF9Z24NPBF场效应管 MOSFET P TO-220 -55V -12A

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF9Z24NPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 封装外形:SP/特殊外形 材料:MES金属半导体

现货供应全新原装ADG715BRUZ

类型:存储器 品牌/商标:AD/亚德诺 型号/规格:ADG715BRUZ 封装:TSSOP16 批号:0736+ 营销方式:现货 制作工艺:半导体集成 产品性质:热销

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 2N6427 - 达林顿双极晶体管

封装形式:TO-226-3、TO-92-3 标准主体 型号/规格:2N6427 材料:硅(Si) 品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 应用范围:功率

MUR1620CT二极管，整流器 - 阵列 分离式半导体产品

工作温度范围:1（℃） 功耗:1 批号:10+ 材料:07+,07+ 是否进口:是 针脚数:1 应用范围:整流 型号/规格:MUR1620CTRG 反向重复峰值电压:200 反向重复峰值电流:5 产品类型:快恢复二极管 品牌/商标:ON安森美 封装:SOT-23 类型:其他IC

CPC5602CR MOSFET N沟道场效应管

封装外形:SMD(SO)/表面封装 型号/规格:CPC5602*R 材料:N-FET硅N沟道 品牌/商标:CLARE 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:耗尽型 属性:属性值

CPH6429-TL-E原装无铅现货

品牌/商标:SAN日本三舍 型号/规格:CPH6429-TL-E 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:NF/音频(低频) 封装外形:CHIP/小型片状 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:4 *间电容:220 漏*电流:2

5552726-3原装*

**:是 品牌/商标:AMP/Tyco 型号/规格:5552726-3 应用范围:电脑 种类:插头/插座 接口类型:Champ .050 Plug,reverse,r/a,50w 支持卡数:多合一 接触件材质:铜合金 *缘体材质:镍镀金 芯数:50 针数:50 线长:83.22（mm） 属性:属性值

J176 JFET原装*童现货

**:是 品牌/商标:FAIRCHILD/*童 型号/规格:J176 应用范围:放大 材料:硅(Si) *性:PNP型 击穿电压VCEO:30（V） 集电*允许电流ICM:35M（A） 集电*耗散功率PCM:360（W） 结构:点接触型 封装形式:直插型 封装材料:树脂封装 属性:属性值

RCLAMP0514M.TBT-TVS - 二*管

**:否 产品类型:稳压管 是否*:是 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:RCLAMP0514M.TBT 材料:硅(Si) 主要参数:电压 - 反向隔离（标准值） 5V 用途:过电压，电流，温度装置 备注:电*标记 4 通道阵列 - 双向